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  • 权利要求
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  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aktivierung implantierter Dotierungsatome, bei dem für eine Amorphisierung und eine Dotierung größere Implantationsteilchen, vorzugsweise BF¶2¶-Teilchen, verwendet werden. Durch die Amorphisierung wird erreicht, dass die Ausheiltemperatur nach der Implantation niedriger eingestellt werden kann.The invention relates to a method for activating implanted doping atoms, in which larger implantation particles, preferably BF 2 O 2 particles, are used for amorphization and doping. Through the amorphization is achieved that the annealing temperature can be set lower after implantation.
    公开号:DE102004011175A1
    申请号:DE102004011175
    申请日:2004-03-08
    公开日:2005-09-29
    发明作者:Frank Hille；Thomas Dr. Rupp；Hans-Joachim Dr. Schulze
    申请人:Infineon Technologies AG；
    IPC主号:H01L21-265
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aktivierung implantierterDotierungsatome, bei dem zunächstin einem oberflächennahenBereich eines Halbleiterkörpersdurch Implantation Dotierstoff mit einer bestimmten Dosis eingebrachtwird und bei dem danach der Halbleiterkörper einer Ausheilbehandlungbei einer vorgegebenen Temperatur unterworfen wird.TheThe present invention relates to a method for activating implantedDoping atoms in which firstin a near-surfaceArea of a semiconductor bodyintroduced by implantation dopant at a certain doseand after that the semiconductor body is annealedis subjected to a predetermined temperature.
    [0002] Für bestimmteHalbleiterbauelemente, wie beispielsweise IGBT's (Bipolartransistor mit isoliertemGate) und Thyristoren, sollte eine Rückseitendotierung, also insbesonderedie Dotierung einer Emitterzone und gegebenenfalls einer Feldstoppzone,bei möglichstniedrigen Temperaturen vorgenommen werden. Denn die Vorderseiteeines solchen Halbleiterbauelements würde durch Temperaturbelastungen,die dort Temperaturen oberhalb von 400°C hervorrufen, geschädigt werden.Aus diesem Grund muss angestrebt werden, dass die Temperatur bei derHerstellung der Rückseitendotierungso niedrig bleibt, dass auf der Vorderseite des Halbleiterbauelementeskeine Temperaturen auftreten, die über 400°C liegen.For certainSemiconductor devices, such as IGBT's (bipolar transistor with insulatedGate) and thyristors, should a backside doping, ie in particularthe doping of an emitter zone and optionally a field stop zone,if possiblelow temperatures are made. Because the frontsuch a semiconductor device would be affected by temperature loads,which cause temperatures above 400 ° C, damaged there.For this reason it must be striven that the temperature at theProduction of the backside dopingremains so low that on the front of the semiconductor deviceno temperatures occur that are above 400 ° C.
    [0003] Damitderartige Temperaturbelastungen mit Temperaturen oberhalb von 400°C vermiedenwerden können,werden bisher nach Implantationen zur Herstellung der Rückseitendotierungvorgenommene Ausheilschritte bei Temperaturen unterhalb von 400°C durchgeführt. Damitwird aber nur eine unzureichende Ausheilung des Kristallgittersund eine relativ geringe Aktivierung der implantierten Dotierungsatomeerreicht, so dass beispielsweise die Wirksamkeit eines durch Implantationund anschließendeAusheilung unter 400°Chergestellten Emitters relativ niedrig ist, was zu hohen Spannungsabfällen imDurchlasszustand des Halbleiterbauelementes führt.In order tosuch temperature loads with temperatures above 400 ° C avoidedcan beare so far after implantations to produce the backside dopingcarried out annealing at temperatures below 400 ° C. In order tobut only an insufficient healing of the crystal latticeand a relatively low activation of the implanted dopant atomsachieved, so for example, the effectiveness of a through implantationand subsequentHealing below 400 ° Cproduced emitter is relatively low, resulting in high voltage drops in thePassing state of the semiconductor device leads.
    [0004] Wirdein Siliziumkristall zuerst durch Ionenimplantation mit elektrischinaktiven Ionen, wie beispielsweise Germanium- oder Siliziumionen stark geschädigt, sodass er in den amorphen Zustand übergeht,so bewirkt diese "Voramorphisierung", dass bei eineranschließendenImplantation eigentlicher Dotierungsatome, wie beispielsweise Phosphorionen oderBorionen, diese implantierten Dotierungsatome schon bei relativniedrigen Temperaturen stark aktiviert werden. Dies ist auf dieniedrigeren Energien zurückzuführen, dieinfolge der Voramorphisierung notwendig sind, um durch die Temperaturbehandlung dasKristallgitter wieder herzustellen und in dieses die Dotierungsatomeeinzubauen. Der obige Vorgang wird bei der Herstellung integrierterSchaltungen (IC-Technologie) angewandt und dort als "Solid State Epitaxy" oder "Solid Phase Epi" (SPE) bezeichnet.Becomesa silicon crystal first by ion implantation with electricinactive ions, such as germanium or silicon ions heavily damaged, sothat it goes into the amorphous state,Thus, this "pre-amorphization" causes that at asubsequentImplantation of actual doping atoms, such as phosphorus ions orBoron ions, these implanted dopant atoms already at relativelow temperatures are strongly activated. This is on theattributed to lower energies thatdue to the pre-amorphization are necessary to heat treatment by theTo restore crystal lattice and in this the doping atomsinstall. The above process is integrated in the manufactureCircuits (IC technology) and there referred to as "Solid State Epitaxy" or "Solid Phase Epi" (SPE).
    [0005] DerAufwand fürein solches SPE-Verfahren ist infolge der Doppelimplantation für Voramorphisierungund Dotierung relativ hoch. Außerdemkann durch Schwankungen der Eindringtiefen der beiden Implantationender Abstand zwischen dem Maximum der implantierten Dotierungsatomeund der Amorphisierungsfront, die sich während des Prozesses der "Solid State Epitaxy" kontinuierlich zurScheibenoberflächehin verschiebt, unterschiedlich ausfallen, was zu unerwünschtenStreuungen im Dotierungsprofil führt.Of theEffort forsuch an SPE procedure is due to the double implantation for pre-amorphizationand doping relatively high. Furthermoremay be due to variations in the penetration depths of the two implantsthe distance between the maximum of the implanted doping atomsand the amorphization front, which continuously grows during the process of "solid state epitaxy"disk surfacedown, different, which is undesirableScattering in the doping profile leads.
    [0006] Esist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zurAktivierung implantierter Dotierungsatome anzugeben, mit dem ohneaufwändige Doppelimplantationender Einsatz hoher Temperaturen bei Ausheilbehandlungen vermiedenwerden kann.Itis therefore an object of the present invention, a method forTo indicate activation of implanted doping atoms, with the withoutelaborate double implantationsavoiding the use of high temperatures during annealing treatmentscan be.
    [0007] DieseAufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dassder Dotierstoff so ausgewähltund mit einer solchen Dosis in den Halbleiterkörper eingebracht wird, dasser eine Amorphisierung des Halb leiterkörpers im Wesentlichen in demoberflächennahenBereich bewirkt, und dass die vorgegebene Temperatur höchstens550°C beträgt. Wirddie Ausheilbehandlung bei einer solchen Temperatur von höchstens550°C vorgenommen,so ist, wenn der oberflächennaheBereich beispielsweise auf der Rückseite desHalbleiterkörpersliegt, sichergestellt, dass die Temperatur auf dessen Vorderseite400°C nicht übersteigt.Vorzugsweise beträgtdie Ausheiltemperatur höchstens500°C undliegt insbesondere zwischen 350°Cund 450°C.TheseThe object is achieved in a method of the type mentioned in the present invention thatthe dopant is selectedand introduced into the semiconductor body with such a dose thathe amorphization of the semiconductor body substantially in theshallowArea causes, and that the predetermined temperature at most550 ° C. Becomesthe annealing treatment at such a temperature of at most550 ° C made,so if is the near-surfaceArea for example on the back of theSemiconductor bodyensures that the temperature on the front400 ° C does not exceed.Preferablythe annealing temperature at most500 ° C andis in particular between 350 ° Cand 450 ° C.
    [0008] Wesentlichan dem erfindungsgemäßen Verfahrenist also, dass die fürdie Dotierung verwendeten Implantationsatome gleichzeitig auch zumAmorphisieren des Halbleiterkörpersverwendet werden. Durch dieses gleichzeitige Amorphisieren wirdder Grad der Aktivierung der implantierten Dotierungsatome bei einerbei niedrigen Temperaturen vorgenommenen Ausheilbehandlung erhöht, ohnedabei die Einstellung des Emitterwirkungsgrades nach unten zu begrenzen.Essentialin the method according to the inventionSo that is for thethe doping used simultaneously implantation atoms forAmorphizing the semiconductor bodybe used. Through this simultaneous amorphization becomesthe degree of activation of the implanted dopant atoms in aat low temperatures, annealing treatment increases withoutwhile limiting the setting of the emitter efficiency down.
    [0009] Vorzugsweisewerden als Dotierstoff geladene Teilchen verwendet, die größere Durchmesserhaben. Als größere Durchmesserwerden dabei Durchmesser von Teilchen angesehen, die größer sindals die Durchmesser der Atome der zweiten Periode des Periodensystems.Preferablyare used as dopant charged particles, the larger diameterto have. As larger diameterIn this case, diameters of particles that are larger are consideredas the diameter of the atoms of the second period of the periodic table.
    [0010] Invorteilhafter Weise werden als Dotierstoff geladene BF2-Teilchen vorgesehen.Gegebenenfalls könnenaber auch andere, ähnlicheTeilchen eingesetzt werden.Advantageously, BF 2 particles charged as dopant are provided. Possibly however, other similar particles can also be used.
    [0011] Beidiesen Teilchen, wie insbesondere bei BF2-Teilchen,setzt einerseits die Amorphisierung schon bei relativ geringen Dosenein und ist andererseits der mit einer solchen Bestrahlung erzeugte p-leitendeEmitter auch übereinem weiten Bereich einstellbar. Es hat sich gezeigt, dass dieAmorphisierungsgrenze bei diesen Teilchen um eine Größenordnungniedriger liegt als bei Bestrahlung mit beispielsweise Borionen.In these particles, in particular BF 2 particles, on the one hand the amorphization starts even at relatively low doses and on the other hand the p-type emitter produced with such an irradiation can also be adjusted over a wide range. It has been found that the amorphization limit for these particles is an order of magnitude lower than for irradiation with, for example, boron ions.
    [0012] WerdennämlichBorionen zur Amorphisierung verwendet, für welche eine hohe Ionenimplantationsdosiserforderlich ist, so lässtsich ein sehr guter Emitter herstellen. Ein solcher ist aber für bestimmte Halbleiterbauelemente,wie beispielsweise IGBTs, nicht wünschenswert. Um nämlich dieAbschaltverluste des IGBTs nicht zu groß werden zu lassen, solltedie Effizienz des p-dotierten Emitters begrenzt sein. Dies bedeutetalso, dass durch Verwenden einer BF2-Implantationoder dergleichen der Emittererwirkungsgrad über einen relativ weiten Bereichkontrolliert variiert werden kann.If boron ions are used for amorphization, for which a high ion implantation dose is required, then a very good emitter can be produced. However, such is not desirable for certain semiconductor devices, such as IGBTs. In order not to let the turn-off losses of the IGBT become too large, the efficiency of the p-doped emitter should be limited. This means that by using a BF 2 implantation or the like, the emitter efficiency can be varied controlled over a relatively wide range.
    [0013] DieVerwendung von BF2-Ionen zur Implantationliefert einen weiteren Vorteil: bei den angegebenen Ausheiltemperaturenvon insbesondere unterhalb 500°Cist eine merkliche Eindiffusion der Boratome praktisch ausgeschlossen,währendbei einer reinen Borimplantation eine, wenn auch nur geringe Eindiffusionstattfindet. Diese Verhinderung der Eindiffusion lässt sichaus der Wechselwirkung zwischen den Boratomen und den Fluoratomenerklären(vgl. hierzu A. Mokhberi et al.: Appl. Phys. Letters, Band 80, S.3530 (2002)).The use of BF 2 ions for implantation provides a further advantage: at the specified annealing temperatures of in particular below 500 ° C, a noticeable diffusion of the boron atoms is virtually eliminated, while in a pure boron implantation, even if only a small diffusion occurs. This prevention of indiffusion can be explained by the interaction between the boron atoms and the fluorine atoms (cf A. Mokhberi et al .: Appl. Phys. Letters, vol 80, p. 3530 (2002)).
    [0014] Schließlich istbei Verwendung von BF2-Teilchen zur Implantationbei den üblicherweiseeingesetzten Implantationsenergien die Eindringtiefe im Halbleiterkörper deutlichgeringer als beispielsweise bei einer Borimplantation.Finally, when using BF 2 particles for implantation in the implantation energies usually used, the penetration depth in the semiconductor body is significantly lower than, for example, in a boron implantation.
    [0015] DieVerhinderung der Eindiffusion von Boratomen und die geringe Eindringtiefeführendazu, dass die Transparenz eines derart hergestellten Emitters infolgeder minimalen Eindringtiefe deutlich ausgeprägter ist als in dem Fall, inwelchem die Ausheilung bei deutlich höheren Temperaturen vorgenommenwird. Transparenz bedeutet in diesem Fall, dass die Effizienz desEmitters durch die Oberfläche desHalbleiterkörpers,wie beispielsweise eines Siliziumchips, beeinflusst wird, was invielen Fälleneine wünschenswerteEigenschaft ist. In diesem Fall kann somit die Emittereffizienznicht nur überdie Implantationsdosis, sondern auch über die Implantationsenergiegesteuert werden.ThePreventing the diffusion of boron atoms and the low penetration depthto leadthat the transparency of a thus produced emitter duethe minimum depth of penetration is much more pronounced than in the case inwhich made the annealing at much higher temperaturesbecomes. Transparency in this case means that the efficiency of theEmitters through the surface of theThe semiconductor body,such as a silicon chip, is affected, which inmany casesa desirable oneProperty is. In this case, therefore, the emitter efficiencynot just aboutthe implantation dose, but also about the implantation energyto be controlled.
    [0016] DieDosis des zu implantierenden Dotierstoffes wird insbesondere soeingestellt, dass sie oberhalb der Amorphisierungsdosis liegt. Diesebeträgt beispielsweisefür BF2 5 × 1014 Teilchen cm–2 (für Bor hatsie einen Wert von 1016 Teilchen cm–2).Eine bevorzugte Implantationsdosis für BF2-Teilchen beträgt wenigstens1 × 1016 Teilchen cm–2.In particular, the dose of dopant to be implanted is adjusted to be above the amorphization dose. For example, for BF 2, this is 5 × 10 14 particles cm -2 (for boron it has a value of 10 16 particles cm -2 ). A preferred implantation dose for BF 2 particles is at least 1 × 10 16 particles cm -2 .
    [0017] Nachfolgendwird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:followingThe invention will be explained in more detail with reference to the drawings. Show it:
    [0018] 1 einenIGBT in einer Schnittdarstellung, 1 an IGBT in a sectional view,
    [0019] 2A denVerlauf des Profiles der chemischen totalen Borkonzentration, wiedieses aus einer Simulation eines Implantationsprozesses erhalten wird, 2A the profile of the chemical total boron concentration profile as obtained from a simulation of an implantation process,
    [0020] 2B denVerlauf des Profiles der elektrisch aktiven Borkonzentration, wiedieses aus „SpreadingResistance Messungen" (Ausbreitungswiderstandsmeßmethode)ermittelt wurde, wobei hier nur ein Bruchteil der chemischen Borkonzentrationin Erscheinung tritt und in den 2A und 2B die Borkonzentrationjeweils in cm–3 inAbhängigkeitvon der Tiefe (μm)aufstehend von der Oberflächeeines Halbleiterkörpersaufgetragen sind, und 2 B the course of the profile of the electrically active Borkonzentration, as this was determined from "Spreading Resistance measurements" (propagation resistance measurement method), in which case only a fraction of the chemical Borkonzentration appears in the appearance and in the 2A and 2 B the boron concentration are each plotted in cm -3 as a function of the depth (μm) of the surface of a semiconductor body, and
    [0021] 3 denVerlauf der Dosis zum Amorphisieren von Silizium in Abhängigkeitvon der Implantationstemperatur für verschiedene Dotierstoffe. 3 the course of the dose to amorphize silicon as a function of the implantation temperature for various dopants.
    [0022] 1 zeigteinen IGBT mit einem Halbleiterkörper 1,in welchem von einer ersten Oberfläche bzw. Vorderseite 2 aus einen-dotierte Emitterzone 3, eine p-dotierte Basiszone 4,eine n–-dotierteBasiszone 5, eine n+-dotierte Feldstoppzone 6 undeine p-dotierte Emitterzone 7 vorgesehen sind. Auf einerzweiten Oberflächebzw. Rückseite 8 desHalbleiterkörpersist eine Metallisierung 9 aufgebracht, während in derVorderseite 2 Trenches 10 mit einer Gate-Isolierschicht 11 ausbeispielsweise Siliziumdioxid und einer Gateelektrode 12 auspolykristallinem Silizium vorgesehen sind. Die Emitterzone 3 unddie Basiszone 4 sind mit einer Metallisierung 13 versehen,die sich im Wesentlichen übereiner auf die Vorderseite 2 aufgebrachte Isolierschicht 14 ausbeispielsweise Siliziumdioxid erstreckt. 1 shows an IGBT with a semiconductor body 1 in which from a first surface or front side 2 from an n-doped emitter zone 3 , a p-doped base zone 4 , an n - doped base zone 5 , an n + -doped field stop zone 6 and a p-doped emitter region 7 are provided. On a second surface or back 8th of the semiconductor body is a metallization 9 Applied while in the front 2 trenches 10 with a gate insulating layer 11 made of, for example, silicon dioxide and a gate electrode 12 are provided of polycrystalline silicon. The emitter zone 3 and the base zone 4 are with a metallization 13 which are essentially over one on the front 2 applied insulating layer 14 extends from, for example, silicon dioxide.
    [0023] Für den Halbleiterkörper 1 wirdvorzugsweise Silizium verwendet. Es sind aber auch andere Halbleitermaterialien,wie beispielsweise SiC, AIIIBV usw.einsetzbar. Weiterhin könnenauch die angegebenen Leitungstypen jeweils umgekehrt sein. Das heißt, dern-Leitungstyp kann durch den p-Leitungstyp ersetzt werden, wennanstelle des p-Leitungstyps der n-Leitungstyp vorgesehen wird.For the semiconductor body 1 Silicon is preferably used. But there are also other semiconductor materials, such as SiC, A III B V , etc. used. Furthermore, the specified line types can also be reversed. That is, the n-type conductivity can be replaced by the p-type conductivity if the n-type conductivity is provided instead of the p-type conductivity.
    [0024] DieEmitterzone 7 (und gegebenenfalls auch die Feldstoppzone 6)wird von der Rückseite 8 aus durchImplantation in den Halbleiterkörper 1 eingebracht.Nach dieser Implantation wird eine Ausheilbehandlung durchgeführt, beider solche Temperaturen anzuwenden sind, dass auf der Vorderseite 2 des Halbleiterkörpers 1 keinehöherenTemperaturen als beispielsweise 400°C herrschen.The emitter zone 7 (and possibly also the field stop zone 6 ) is from the back 8th from by implantation in the semiconductor body 1 brought in. After this implantation, an annealing treatment is performed in which such temperatures are to be applied that on the front side 2 of the semiconductor body 1 no higher temperatures than for example 400 ° C prevail.
    [0025] Erfindungsgemäß wird nuneine Amorphisierung im Bereich der Emitterzone 7 vorgenommen, umso die Ausheilbehandlung bei niedrigeren Temperaturen durchführen zukönnen.Für dieseAmorphisierung werden Dotierstoffteilchen eingesetzt, die nichtnur diese Amorphisierung bewirken, sondern gleichzeitig als Implantationsatomedienen. Bevorzugt ist hierzu BF2 vorgesehen.According to the invention, an amorphization is now in the region of the emitter zone 7 so as to be able to carry out the annealing treatment at lower temperatures. For this amorphization dopant particles are used, which not only cause this amorphization, but also serve as implantation atoms. Preferably, BF 2 is provided for this purpose.
    [0026] Nunist fürdie Erzeugung der beispielsweise mit Bor dotierten p-leitenden Emitterzone 7 dieerforderliche Dosis an Boratomen relativ hoch und liegt über 1E16cm–2,wie dies aus den 2A und 2B zuersehen ist: erst bei dieser Dosis liegt eine merkliche Amorphisierungbis in einer Tiefe von etwa 0,25 bis 0,4 μm vor. Die 2A und 2B zeigen dabeiErgebnisse von einer Borimplantation mit einer Energie von 45 keVund nach einer Temperung bei etwa 350°C während einer Zeitdauer von 30min in einer N2H2-Atmosphäre. Für die Erstellungder 2A wurde eine Simulation angewandt, während dieErgebnisse von 2B durch die "Spreading ResistanceMethod" erhaltensind.Now is for the generation of the example doped with boron p-type emitter zone 7 the required dose of boron atoms is relatively high and is above 1E16 cm -2 , as can be seen from the 2A and 2 B It can be seen that only at this dose is there a noticeable amorphization to a depth of about 0.25 to 0.4 μm. The 2A and 2 B show results from a Borimplantation with an energy of 45 keV and after annealing at about 350 ° C for a period of 30 min in a N 2 H 2 atmosphere. For the creation of 2A a simulation was applied while the results of 2 B received by the Spreading Resistance Method.
    [0027] Ausden 2A und 2B istauch zu ersehen, dass die sich ergebende aktive Konzentration (2B)im Fall der höchstenDosis, die eine Amorphisierung zur Folge hat, deutlich höher istals bei den nicht-amorphisierenden Dosen. Auch zeigt der Verlauffür dieDosis von 1,0E16 cm–2 in 2B,dass die aus der hohen Ionenimplantationsdosis resultierende Aufheizungschon selber je abhängigvon dem eingestellten Ionenstrom eine unkontrollierte teilweiseAusheilung des Halbleiterkörpersbewirkt.From the 2A and 2 B It can also be seen that the resulting active concentration ( 2 B ) is significantly higher in the case of the highest dose which results in amorphization than in the non-amorphizing doses. Also shows the course for the dose of 1.0E16 cm -2 in 2 B in that the heating resulting from the high ion implantation dose itself already causes an uncontrolled partial annealing of the semiconductor body depending on the set ion current.
    [0028] Aus 3 istdie relativ hohe Dosis zwischen 1,0E15 und 1,0E18 zu ersehen, diefür dieErzeugung eines mit Bor dotierten p-leitenden Emitters im Bereichzwischen 200°Kund 300°Kerforderlich ist.Out 3 the relatively high dose between 1.0E15 and 1.0E18 required to produce a boron-doped p-type emitter in the range between 200 ° K and 300 ° K is seen.
    11 HalbleiterkörperSemiconductor body 22 Vorderseitefront 33 n-Emitterzonen-emitter zone 44 p-Basiszonep base region 55 n–-Basiszonen - base zone 66 Stoppzonestop zone 77 p-Emitterzonep-emitter zone 88th Rückseiteback 99 Rückseitenmetallisierungbackside metallization 1010 Trenchtrench 1111 Gate-IsolierschichtGate insulating layer 1212 Gateelektrodegate electrode 1313 Vorderseitenmetallisierungfront side metallization
    权利要求:
    Claims (9)
    [1]
    Verfahren zur Aktivierung implantierter Dotierungsatome,bei dem zunächstin einem oberflächennahenBereich (7) eines Halbleiterkörpers (1) durch ImplantationDotierstoff mit einer bestimmten Dosis eingebracht wird und beidem danach der Halbleiterkörper(1) einer Ausheilbehandlung bei einer vorgegebenen Temperaturunterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Dotierstoffso ausgewählt undmit einer solchen Dosis in den Halbleiterkörper (1) eingebrachtwird, dass er eine Amorphisierung des Halbleiterkörpers (1)im wesentlichen in dem oberflächennahenBereich (7) bewirkt, und dass die vorgegebene Temperaturhöchstens550°C beträgt.Method for activating implanted doping atoms, in which first in an area close to the surface ( 7 ) of a semiconductor body ( 1 ) is introduced by implantation dopant with a certain dose and in which thereafter the semiconductor body ( 1 ) is subjected to an annealing treatment at a predetermined temperature, characterized in that the dopant is selected and injected at such a dose into the semiconductor body ( 1 ) is introduced, that it has an amorphization of the semiconductor body ( 1 ) substantially in the near-surface region ( 7 ) and that the predetermined temperature is at most 550 ° C.
    [2]
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass der oberflächennaheBereich in der Rückseitedes Halbleiterkörpers(1) vorgesehen wird.A method according to claim 1, characterized in that the near-surface region in the back of the semiconductor body ( 1 ) is provided.
    [3]
    Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,dass die vorgegebene Temperatur höchstens 500°C beträgt.Method according to claim 1 or 2, characterizedthat the given temperature is at most 500 ° C.
    [4]
    Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,dass die vorgegebene Temperatur 350°C bis 450°C beträgt.Method according to claim 3, characterizedthat the predetermined temperature is 350 ° C to 450 ° C.
    [5]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,dass als Dotierstoff ein geladenes Teilchen verwendet wird, dasgrößere Abmessungenals Atome der zweiten Periode des Periodensystems hat.Method according to one of claims 1 to 4, characterizedin that a charged particle is used as the dopant, thelarger dimensionsas atoms of the second period of the periodic table.
    [6]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dassder Dotierstoff mit einer Dosis die oberhalb von dessen Amorphisierungsdosisliegt, in den Halbleiterkörper(1) eingebracht wird.Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that the dopant with a dose which is above its Amorphisierungsdosis, in the semiconductor body ( 1 ) is introduced.
    [7]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,dass als Dotierstoff geladene BF2-Teilchenverwendet werden.Method according to one of claims 1 to 6, characterized in that BF 2 particles charged as dopant are used.
    [8]
    Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,dass der Dotierstoff mit einer Dosis von wenigstens 5 × 1014 Teilchen cm–2 inden Halbleiterkörper(1) eingebracht wird.A method according to claim 7, characterized in that the dopant with a dose of at least 5 × 10 14 particles cm -2 in the semiconductor body ( 1 ) is introduced.
    [9]
    Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,dass als bestimmter Bereich (7) der p-dotierte Emittereines IGBTs oder Thyristors verwendet wird.Method according to one of claims 1 to 8, characterized in that as a specific area ( 7 ) the p-doped emitter of an IGBT or Thy Ristor is used.
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE102004011175B4|2013-01-03|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-09-29| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2011-03-07| R016| Response to examination communication|
    2012-09-04| R018| Grant decision by examination section/examining division|
    2013-06-06| R082| Change of representative|
    2013-07-11| R020| Patent grant now final|Effective date: 20130404 |
    2020-10-01| R119| Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE102004011175A|DE102004011175B4|2004-03-08|2004-03-08|Method for activating implanted dopant atoms|DE102004011175A| DE102004011175B4|2004-03-08|2004-03-08|Method for activating implanted dopant atoms|
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